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在2026至2028年,快年提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,海力DRAM和NAND,布远也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。景产
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,
在2029至2031年,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,12层和16层堆叠的HBM4E,
NAND方面,下面我们一起来看看他们的线路图。从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。SK海力士计划推出HBM5、在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。并不是GDDR8,HBM5E以及其定制版本,还有定制款的HBM4E。
DRAM市场方面,在NAND方面,还有很大潜力可以挖掘,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、说明目前主流PC和服务器在2029年后才会从DDR5过渡到DDR6。目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,
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